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DMT8012LFG-7  与  BSZ123N08NS3 G  区别

型号 DMT8012LFG-7 BSZ123N08NS3 G
唯样编号 A-DMT8012LFG-7 A-BSZ123N08NS3 G
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 10.3mΩ
上升时间 - 18ns
漏源极电压Vds 80V 80V
Pd-功率耗散(Max) - 66W
Qg-栅极电荷 - 25nC
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 17S
典型关闭延迟时间 - 19ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 PowerDI -
连续漏极电流Id 9.5A 40A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
长度 - 3.3mm
下降时间 - 4ns
典型接通延迟时间 - 12ns
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT8012LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

PowerDI

暂无价格 0 当前型号
BSZ123N08NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ123N08NS3 G_8-PowerVDFN

暂无价格 0 对比
DMT8012LFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 对比
BSZ123N08NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ123N08NS3GATMA1_3.3mm

暂无价格 0 对比

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